Представлены расчеты для изменения объемного модуля (B), объем сжатия (Vp
Vo ); постоянная решетки и спектр фононных частот при высоком давлении до 17 ГПа при комнатной температуре. В расчетах используются три уравнения состояния EOS, в том числе Берч-Мурнаган, Винет и модифицированный Леннард-Джунс. Получены вариации этих свойств при высоком давлении для GaAs и подходящие EOS для них