Room temperature spin accumulation effect in boron doped Si created by epitaxial Fe3Si/p-Si Schottky contact - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Room temperature spin accumulation effect in boron doped Si created by epitaxial Fe3Si/p-Si Schottky contact

Tarasov, A. S., Bondarev, I. A., Rautskii, M. V., Lukyanenko, A. V., Tarasov, I. A., Varnakov, S. N., Ovchinnikov, S. G., Volkov, N. V.

Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2020-06-02T16:54:53Z

Аннотация:

Текст статьи не публикуется в открытом доступе в соответствии с политикой журнала.

Ключевые слова:
29.19.03

Тип: Journal Article

Связанные документы (рекомендация CORE)