Defect charging and resonant levels in half-Heusler Nb1-xTixFeSb - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Defect charging and resonant levels in half-Heusler Nb1-xTixFeSb

Tian Yefan, Vagizov Farit Gabdulhakovich, Ghassemi Nader, Ren Wuyang, Zhu Hangtian, Wang Zhiming, Ren Zhifeng, Ross Joseph H.

Дата публикации: 2020

Дата публикации в реестре: 2020-07-05T10:17:44Z

Аннотация:

Ключевые слова:
Mossbauer spectroscopy, NMR, half-Heusler allows, defect charging, Физика

Тип: Other

Права: metadata only access

Связанные документы (рекомендация CORE)