Исследование процессов взаимодействия точечных дефектов с имплантированными примесными атомами методом каналирования

Неклюдов, И. М.; Толстолуцкая, Г. Д.; Марченко, И. Г.; Рыбалко, В. Ф.; Камышанченко, Н. В.

Исследование процессов взаимодействия точечных дефектов с имплантированными примесными атомами методом каналирования

Неклюдов, И. М., Толстолуцкая, Г. Д., Марченко, И. Г., Рыбалко, В. Ф., Камышанченко, Н. В.

Дата публикации: 1997

Дата публикации в реестре: 2020-02-28T09:04:45Z

Аннотация:

Методами каналирования и математического моделирования исследовано местоположение в решетке монокристалла Ni имплантированных атомов Xe, их взаимодействие с радиационными дефектами, кинетика образования примесных комплексов и их конфигурация

Ключевые слова:
физика, физика твердого тела, металлы, монокристалл, метод каналирования, математическое моделирование

Тип: Article