Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

Исследование процессов взаимодействия точечных дефектов с имплантированными примесными атомами методом каналирования

Дата публикации: 1997

Дата публикации в реестре: 2020-02-28T09:04:45Z

Аннотация:

Методами каналирования и математического моделирования исследовано местоположение в решетке монокристалла Ni имплантированных атомов Xe, их взаимодействие с радиационными дефектами, кинетика образования примесных комплексов и их конфигурация

Тип: Article

Другие версии документа

Исследование процессов взаимодействия точечных дефектов с имплантированными примесными атомами методом каналирования

Связанные документы (рекомендация CORE)