Рассматривается возможность предельного уменьшения размеров МЭМС, НЭМС и других миниатюрных приборов в технологии их изготовления методами маскированного растворения кристалла. Для этого необходимо использование растворителей, позволяющих осуществить «идеальную» полировку поверхностей. Создание таких пока неизвестных растворителей предлагается начинать с определения элементарных стадий процесса растворения, реализация которых принципиально необходима для удаления (стравливания) любых дефектов атомно-гладкой поверхности заданной кристаллографической ориентации. Предлагается способ выявления таких стадий при моделировании процесса на атомном уровне. Приводится пример разработки теоретической (компьютерной) модели растворителя, позволяющей осуществить идеальную полировку поверхности (001) кристаллов типа алмаза. Такая модель содержит информацию об особенностях соответствующего натурного процесса, которые необходимо реализовать при отработке перспективной технологии изготовления, например, миниатюрных кремниевых приборов и систем.