Влияние импульсного излучения оптического диапазона на электрические характеристики МОП транзисторов в КНИ структурах - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Влияние импульсного излучения оптического диапазона на электрические характеристики МОП транзисторов в КНИ структурах

Санковский, М. В.

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:37:24Z

Ключевые слова:
авторефераты диссертаций, импульсное излучение, оптический диапазон, МОП транзистор, КНИ структура

Тип: Автореферат

Связанные документы (рекомендация CORE)