Температурные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей

Асаенок, М. А.; Горбадей, О. Ю.; Зеневич, А. О.; Asayonak, M. A.; Gorbadey, O. Yu.; Zenevich, A. O.

Температурные характеристики кремниевых фотоэлектронных умножителей

Асаенок, М. А., Горбадей, О. Ю., Зеневич, А. О., Asayonak, M. A., Gorbadey, O. Yu., Zenevich, A. O.

Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:39:00Z

Аннотация:

Представлены результаты исследований температурных зависимостей коэффициентов умножения темнового тока и фототока для кремниевых фотоэлектронных умножителей. Показано, в какой степени снижение температуры влияет на изменение коэффициента усиления фототока и приводит к уменьшению последовательного сопротивления микроплазменного пробоя. The investigations results of the temperature dependences of the multiplication coefficients of the dark current and photocurrent for silicon photoelectric multipliers are presented. It is shown to what extent the decrease in temperature effects to the change in the photocurrent gain and leads to a decrease of the series resistance of the microplasma breakdown.

Ключевые слова:
доклады БГУИР, кремниевые фотоэлектронные умножители, коэффициент усиления фототока, микроплазменный пробой, silicon photoelectric multipliers, photocurrent gain, microplasma breakdown

Тип: Статья