Частотные характеристики интегральных датчиков  Холла

Дао Динь Ха; Стемпицкий, В. Р.; Dao Dinh Ha; Stempitsky, V.R.

Частотные характеристики интегральных датчиков Холла

Дао Динь Ха, Стемпицкий, В. Р., Dao Dinh Ha, Stempitsky, V.R.

Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:41:58Z

Аннотация:

Представлены результаты приборно-технологического и схемотехнического моделирования кремниевого датчика Холла с целью определения его динамических характеристик. Исследовано влияние размеров активной области, определены теоретическое и фактическое значения верхнего предела полосы пропускания датчика Холла с учетом внутренней паразитной емкости, а также при наличии и отсутствии емкостной нагрузки. Промоделированы характеристики датчика Холла, совмещенного на одном кристалле с дифференциальным усилителем. The results of device-technological and schematic simulation of the silicon Hall sensor with the purpose of determine its dynamic characteristics are presented. The influence of the dimensions of the active region is investigated, the theoretical and actual values of the upper limit of the bandwidth of the Hall sensor are determined, taking into account the internal parasitic capacitance, and the presence and absence of a capacitive load. The characteristics of the Hall sensor combined on a single crystal with a differential amplifier are simulated.