Цель работы разработка и апробация методов и алгоритмов
оптимизации режимов и адаптации параметров моделей технологических
операций и электрических характеристик МОП-транзисторов для расширения
возможностей стандартных программных комплексов проектирования
интегральных микросхем, в частности, моделирования электрических
характеристик приборов с нанометровыми проектными нормами.Objective: development and testing of methods and algorithms for оptimization and adaptation of the model parameters of technological operations and
electrical characteristics of the MOS transistors to enhance the capacity of standard software systems for of integrated circuits design, in particular, the simulation of electrical characteristics of devices with nanometer design rules.