Полиимидная пассивация поверхности арсенида галлия

Глоба, И. И.; Прокопчук, Николай Романович

Полиимидная пассивация поверхности арсенида галлия

Глоба, И. И., Прокопчук, Николай Романович

Дата публикации: 1999

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T13:03:19Z

Аннотация:

В данной работе исследована взаимосвязь плотности поверхностных состояний N[ss[, заряда N[s], гистерезиса вольтфарадных характеристик (ВФХ) с химическим строением полиимидов и технологическими условиями получения пассивирующих слоев на арсениде галлия при создании фотоприемников с низкой скоростью поверхностной рекомбинации зарядов и М ДП-транзисторов.

Ключевые слова:
полиимидные покрытия, пассивация поверхности полупроводников, имидизация покрытий, арсенид галлия, полупроводниковые материалы

Тип: Article