Методами оже-электронной спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучены тонкие пленки In[2]O[3], полученные методом термического окисления индия. Изучение химического состава и электронных состояний элементов в пленках оксида индия позволило получить важную информацию, необходимую для описания свойств тонких пленок и прогнозирования их поведения при дальнейшем функционировании.