Влияние предварительной гидрогенизации на образование электронных ловушек в n-GaAs, облученном гамма квантами - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Влияние предварительной гидрогенизации на образование электронных ловушек в n-GaAs, облученном гамма квантами

Бумай, Ю. А., Коршунов, Ф. П., Курилович, Н. Ф., Прохоренко, Т. А., Шешолко, В. К.

Дата публикации: 2006

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T13:50:59Z

Тип: Working Paper

Связанные документы (рекомендация CORE)