Металлизация переходных отверстий в кремниевых пластинах для создания трехмерных микроструктур

Воробьева, А. И.; Лабунов, В. А.; Уткина, Е. А.; Грапов, Д. В.; Vorobjova, A. I.; Labunov, V. A.; Outkina, E. A.; Grapov, D. V.

Металлизация переходных отверстий в кремниевых пластинах для создания трехмерных микроструктур

Воробьева, А. И., Лабунов, В. А., Уткина, Е. А., Грапов, Д. В., Vorobjova, A. I., Labunov, V. A., Outkina, E. A., Grapov, D. V.

Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2022-10-06T16:31:45Z

Аннотация:

Исследованы процессы электрохимического осаждения меди в матрицу вертикальных отверстий разного диаметра (500–2000 нм) в подложках Si/SiO2 с барьерным слоем TiN на дне отверстий. Морфологические исследования металла в отверстиях показали, что структура кластеров меди достаточно однородна и формируется из кристаллитов размером ~30–50 нм. Повторяемость и стабильность при однородной структуре и 100% -ной степени заполнения отверстий Cu определяют перспективу применения системы Si/SiO2/Cu в качестве базового элемента для создания трехмерных микро- и наноструктур, и для 3D сборки кристаллов ИМС.

Ключевые слова:
публикации ученых, электрохимическое осаждение, медь, барьерный слой, трехмерная сборка кристаллов, металлизация, морфологические характеристики

Тип: Статья