Исследовано влияние температурных отжигов на диэлектрические свойства кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот с применением импульсной терагерцовой спектроскопии во временной области. Обнаружен эффект «трансформации» положительного двулучепреломляющего кристалла ZnGeP2 в отрицательный при переходе из ИК в терагерцовый диапазон частот. Выявлено уменьшение коэффициентов поглощения и показателей преломления в диапазоне частот 0.25–2.5 ТГц кристаллов после их отжига при температурах 575–700 °С в течение 300–400 ч.