Представлены результаты исследования кристаллографической структуры и спектроскопических cвойств импеданса переменного тока нового дважды замещенного ванадата висмута, синтезированного в виде Bi2V1-x(Ni1/3Nb2/3)xO5,5-δ (сокращенно BININBVOX). Синтез проводили простой твердофазной реакцией при 750 ºC в течение 20 ч, для составов 0,15 ≤ x ≤ 0,25. Структуру и фазовый состав в процессе термообработки изучали с помощью рентгеноструктурного анализа (РФА) и дифференциального термического
анализа (ДТА). Для оценки зависимости электрических свойств системы BININBVOX от температуры и
концентрации легирующей примеси использовали результаты спектроскопии импеданса переменного тока. Анализ рентгенограмм (по Ритвельду) вместе с результатами ДТА ясно свидетельствовали о стабилизации тетрагональной γ'-фазы с пространственной группой I4/m mm для всех синтезированных составов
при комнатной температуре. Размеры решетки незначительно увеличивались по оси с и незначительно менялись по оси а при увеличении содержания Ni–Nb(x). Расчетные длины связей V–O(1) и V/Ni/Nb–O(3) оказались практически одинаковыми для всех составов, тогда как V/Ni/Nb–O(2) и V/Ni/Nb–O(4) заметно
уменьшается с увеличением содержания Ni–Nb. Это может быть связано с повышенным замещением V5+ как Ni2+, так и Nb5+ в слоях перовскит-ванадата. Значения измеренной диэлектрической проницаемости при 300 и 600 ºC показали резкое увеличение по мере увеличения концентрации легирующей примеси Ni–Nb, что указывает на то, что миграция кислородных вакансий и сопровождающее ее накопление заряда в слоях перовскит-ванадата зависят от состава. Интересно, что увеличение концентрации легирующей примеси Ni–Nb значительно увеличило общую электропроводность BININBVOX во всем диапазоне температур, которая также выше, чем у соответствующих однократно замещенных Ni/Nb в составе Bi2VO5.