Методами нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) и комбинационного рассеяния света (рамановская спектроскопия) изучено поведение примесей никеля и водорода в кремнии. Показано, что колебания атомов Ni и Н в Si находятся в диапазоне 925–985 см–1. В спектрах DLTS в кремнии n- и p-типа, диффузионно-легированном Ni, наблюдаются два глубоких уровня с энергиями Ev + 0.17 эВ и Eс – 0.42 эВ. Выявлено, что при химическом травлении в Si, легированном Ni, образовываются различные дефектные комплексы, связанные с водородом, энергии которых равны Eс – 0.18 эВ, Eс – 0.54 эВ, Ev + 0.26 эВ и Ev + 0.55 эВ.