Дано на качественном уровне теплофизическое описание процесса возбуждения горячих центров
кристаллизации в аморфной пленке, напыленной на подложку. Получены аналитические зависимости, определяющие пространственно-временные колебания теплового поля между слабыми и сильными разрывами, бегущими перед фронтом кристаллизации и возбуждающими горячие центры.
Вычислено пороговое значение частоты возбуждающих колебаний, разделяющее устойчивый и неустойчивый режимы распространения этих подвижных границ. Обнаружен режим биения температуры вблизи границы устойчивости/неустойчивости. В результате численных расчетов определены амплитудно-частотные свойства процесса возбуждения горячих центров в аморфной пленке германия при различных температурах подложки.