Исследовано влияние степени закристаллизованности на изменение диэлектрических свойств стекол системы SiO[2] - TiO[2] - Al[2]O[3] - MgO - BaO. Установлено, что на начальных степенях кристаллизации наблюдается некоторое возрастание диэлектрических потерь, связанное с усилением дефектности структуры стекла в целом. Накопление кристаллической фазы приводит к падению диэлектрических потерь на всех частотах.