Резистивное профилирование как метод исследования гетероструктур с множественными квантовыми ямами

Давыдов, Валерий Николаевич; Задорожный, Олег Федорович

Резистивное профилирование как метод исследования гетероструктур с множественными квантовыми ямами

Давыдов, Валерий Николаевич, Задорожный, Олег Федорович

Дата публикации: 2023

Дата публикации в реестре: 2023-04-03T13:51:48Z

Аннотация:

Предложен метод вычисления профиля концентрации носителей заряда в гетероструктуре с квантовыми ямами, основанный на измерении полевой зависимости резистивных свойств гетероструктуры. Предполагается, что данный метод более информативен, чем метод емкостного профилирования, за счет как более широкого диапазона регистируемых им частот перезарядки электронных состояний в p–n-переходе, так и более высокой чувствительности резистивных свойств гетероструктуры к изменению напряжения. Получено аналитическое выражение, позволяющее вычислить профиль концентрации по резистивному методу, наглядно демонстрирующее возможность появления пиков в профиле концентрации электронов Экспериментальные исследования гетероструктур из InGaN/GaN показали работоспособность метода и его возможности в сравнении с методом емкостного профилирования.

Ключевые слова:
гетероструктуры, квантовые ямы, резистивное профилирование, емкостное профилирование, экспериментальные исследования

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 32-40