Рассмотрено прохождение и усиление в двухуровневой среде слабой волны в присутствии волны накачки со случайно модулированной фазой. Исследование влияния спектральной ширины накачки на процессы вынужденного четырехфотонного параметрического рассеяния показывает, что линии трехфотонного и резонансного излучения имеют различные ширины. Вычислены положения и величины максимумов интенсивностей этих линий в зависимости от параметров накачки. Получено качественное согласие с рядом экспериментальных данных.