Многопереходные солнечные элементы на основе GaInN / GaN / GaInP / GaAs / Si / InGaAsP

Есман, А.К.; Зыков, Г.Л.; Потачиц, В.А.; Esman, A.K.; Zykov, G.L.; Potachits, V.A.

Многопереходные солнечные элементы на основе GaInN / GaN / GaInP / GaAs / Si / InGaAsP

Есман, А.К., Зыков, Г.Л., Потачиц, В.А., Esman, A.K., Zykov, G.L., Potachits, V.A.

Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2023-11-01T13:55:24Z

Аннотация:

Выполнена оценка предельной эффективности многопереходных солнечных элементов с помощью термодинамического подхода к расчету эффективности. Согласно проведенным исследованиям, эффективность однопереходных солнечных элементов для исследуемых материалов не превышает 50%. Увеличение числа p-n переходов от одного до шести приводит к повышению эффективности преобразования солнечного излучения от ~ 18,2% до ~ 62,5% (при понижающем коэффициенте d = 0,8) и от ~ 20,2% до ~ 55,5% (при понижающем коэффициенте d = 0,7 … 0,89). Показано, что наиболее оптимальны по эффективности солнечные элементы с шестью p-n переходами. = The limited efficiency of the multijunction solar cells using a thermodynamic approach to calculating the efficiency has been estimated. According to the performed studies, the efficiency of single-junction solar cells for the studied materials does not exceed 50%. An increase from one to six in the number of p-n junctions leads to an increase in the efficiency of solar radiation conversation from ~ 18,2% to ~ 62,5% (when derating factor is equal to 0,8) and from ~ 20,2% to ~ 55,5% (when derating factor is equal to d = 0,7 … 0,89). It is shown that the solar cells with six p-n junctions are the most optimal in terms of efficiency.