Показано, что при невысоком отрицательном потенциале смещения, подаваемом на подложку при осаждении (Uсм менее 150 В), в многослойных покрытиях с толщиной слоев около 50 нм можно достичь двухфазного состояния с преимущественной ориентацией кристаллитов