Исследовано уравнение теплопроводности, описывающее релаксацию температурного поля, инициируемого облучением полупроводниковых структур интерферирующими пучками импульсного лазера. Найдено аналитическое решение уравнения теплопроводности с периодическим источником, связанным с передачей энергии от электронной подсистемы фононам. Проанализировано влияние релаксационных процессов на фононную температуру.