Система для роста монокристаллов соединений группы A1IN5S8, IN2S3 и твердых растворов на их основе (A1IN5S8)1-x – (IN2S3)x

Боднарь, И. В.; Фещенко, А. А.; Хорошко, В. В.

Система для роста монокристаллов соединений группы A1IN5S8, IN2S3 и твердых растворов на их основе (A1IN5S8)1-x – (IN2S3)x

Боднарь, И. В., Фещенко, А. А., Хорошко, В. В.

Дата публикации: 2021

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T13:18:52Z

Аннотация:

Полезная модель относится к области выращивания кристаллов из расплава методом Бриджмена, вертикальный вариант, в частности к системам их получения, и может быть использована для роста крупноблочных полупроводниковых монокристаллов с определенными физическо-химическими свойствами, на основе которых будут созданы приборы с новыми функциональными возможностями.

Ключевые слова:
патенты, монокристаллы, выращивание кристаллов

Тип: Other