Наноразмерные транзисторы с кольцевым затвором на основе сегнетоэлектриков

Волчик, К. О.; Ловшенко, И. Ю.

Наноразмерные транзисторы с кольцевым затвором на основе сегнетоэлектриков

Дата публикации: 2023

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T13:36:05Z

Аннотация:

Представлены результаты исследования наноразмерных транзисторов с кольцевым затвором на основе сегнетоэлектриков. Рассмотрены проблемы масштабирования элементов интегральных схем, особенности наноразмерных структур, в частности их квантовые эффекты. Изучены технологии формирования и эксплуатационные характеристики GAAFET. Выявлено, что полная диэлектрическая изоляция днища снижает мощность на 18%, увеличивая произвоизводительность на 4%. Данные устройства демонстрируют лучшую устойчивость к изменениям процесса в отношении контроля утечки подканала.

Ключевые слова:
материалы конференций, транзисторы, наноразмерные транзисторы, интегральные микросхемы

Тип: Article