Разработка схемотехнической модели воздействия разряда статического электричества по модели CDM на полевой транзистор с изолированным затвором

Пискун, Г. А.; Алексеев, В. Ф.

Разработка схемотехнической модели воздействия разряда статического электричества по модели CDM на полевой транзистор с изолированным затвором

Дата публикации: 2020

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T13:36:36Z

Аннотация:

В ходе технологического процесса электронные компоненты испытывают контакт и разделение с разнородными материалами. В результате контактирования и разделения в электронных компонентах могут образовываться и накапливаться электростатические заряды. В работе рассматривается пример построения схемы модели воздействия CDM ЭСР на транзистор IRF730 и получения последующих осциллограмм в программной среде Qucs.

Ключевые слова:
публикации ученых, схемотехнические модели, разряд статического электричества, моделирование импульсов, модели заряженного устройства, программная среда Qucs

Тип: Статья