Монтаж кристаллов в корпуса интегральных схем должен обеспечить высокую прочность соединений при термоциклировании и механических нагрузках, низкое электрическое и тепловое сопротивление, минимальное механическое воздействие на кристалл и отсутствие загрязнений. При вибрационной пайке подложка и кристалл нагреваются до высокой температуры (~400°C), что может привести к повреждению кристалла. Использование ультразвуковых колебаний при монтаже кристаллов позволяет получать достаточно надёжные соединения кристаллов с подложкой, а так же уменьшить температуру процесса почти в 2 раза. В результате моделирования теплового сопротивления кристалл-подложка получены его зависимости от типа припоя и его толщины. Отмечен линейный рост теплового сопротивления и механических напряжений в кристалле в зависимости от толщины слоя припоя.