Методом ионно-лучевого испарения при температурах подложки 313 и 623 К получены пленки соединения In2Sе3. Oпределен состав и структура пленок. Установлено, что полученные пленки кристаллизуются в гексагональной структуре. По спектрам пропускания и отражения определена ширина запрещенной зоны (Eg) пленок In2Sе3, а также показателя преломления. Установлено, что с ростом температуры подложки Eg увеличивается.