Исследование термической стабильности медных контактных переходов в подложках Si/SiO2

Воробьева, А. И.; Лабунов, В. А.; Уткина, Е. А.; Ходин, А. А.; Сычева, О. А.; Езовитова, Т. И.

Исследование термической стабильности медных контактных переходов в подложках Si/SiO2

Воробьева, А. И., Лабунов, В. А., Уткина, Е. А., Ходин, А. А., Сычева, О. А., Езовитова, Т. И.

Дата публикации: 2022

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T13:47:39Z

Аннотация:

Представлены результаты комплексного исследования структурно-морфологических и термодинамических характеристик электрохимических осадков Cu в переходных отверстиях с барьерным слоем TiN в подложках Si/SiO2 методами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) и дифференциально-термического анализа (ДТА). Установлена область температур, определяющая термостойкость меди (до 750°C) и область температур (до 886°C), определяющая термостойкость композита в целом как способность сохранять химический состав и упорядоченную структуру при повышенной температуре.

Ключевые слова:
публикации ученых, электрохимические осаждения, сканирующая электронная микроскопия

Тип: Article