Влияние состояния рабочей поверхности гальванического датчика импульсного рентгеновского излучения на его быстродействие

Барыков И.А.; Буташин А.В.; Зайцев В.И.; Муслимов А.Э.; Тараканов И.А.; Исмаилов А.М.; Федоров В.А.; Каневский В.М.

Влияние состояния рабочей поверхности гальванического датчика импульсного рентгеновского излучения на его быстродействие

Барыков И.А., Буташин А.В., Зайцев В.И., Муслимов А.Э., Тараканов И.А., Исмаилов А.М., Федоров В.А., Каневский В.М.

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T14:30:15Z

Аннотация:

Предложена новая конструкция гальванического датчика импульсного рентгеновского излучения, представляющая собой плоский электрический конденсатор с окном в одной металлической обкладке и твердым диэлектриком из монокристаллического сапфира толщиной 200-300 μm внутри. Установлено влияние шероховатости поверхности диэлектрика (сапфира) в области окна на гальваническое линейное детектирование рентгеновского излучения. Испытания показали, что при сверхгладкой полировке рабочей поверхности пластины из сапфира в области окна до шероховатости R_q≤ 0.2 nm можно обеспечить возможность гальванического линейного детектирования рентгеновского излучения с энергией в диапазоне 0.1-1 keV и плотностью мощности 1-2 MW· cm^-2 со временем срабатывания датчика около 8 ns. Датчики такого типа могут найти применение в исследованиях процессов инерциального термоядерного синтеза.