Моделирование параметров материалов плёнок прозрачных электродов с близкой к нулю диэлектрической проницаемостью

Соломатин А.С.; Беляев В.В.; Абдуев А.Х.; Зверев Н.В.; Беляев А.А.; Царева Е.В.; Кузьмин М.К.; Жачкин В.А.

Моделирование параметров материалов плёнок прозрачных электродов с близкой к нулю диэлектрической проницаемостью

Соломатин А.С., Беляев В.В., Абдуев А.Х., Зверев Н.В., Беляев А.А., Царева Е.В., Кузьмин М.К., Жачкин В.А.

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T14:30:32Z

Аннотация:

Цель: исследовать влияние параметров материала прозрачного электрода на основе оксида металла (N - плотность электронов, τ - среднее время рассеяния электронов) на величину частоты, при которой диэлектрическая проницаемость материала ε (эпсилон) становится близкой к нулю (так называемые ENZ или НЭ-материалы).Процедура и методы. С использованием модели Друде выполнены расчёты параметров N, τ и плазменной частоты ω0 в диапазоне параметров материалов, применяемых в электронике, а также для композитных материалов с разной геометрией включений. Приведены параметры материалов на основе оксида цинка и методов их формирования, при которых может реализоваться описанный режим близкой к нулю диэлектрической проницаемости материала.Результаты. Для ряда материалов плёнок прозрачных электродов, применяемых в устройствах управления излучением ближнего ИК-диапазона, исследовано влияние параметров материала (N, τ) на величину частоты, при которой диэлектрическая проницаемость материала ε (эпсилон) становится близкой к нулю (НЭ-материалы). Описаны технологии материалов, в которых может реализоваться НЭ-режим.Теоретическая и/или практическая значимость. Описанный режим реализуется для ряда материалов плёнок прозрачных электродов, применяемых в устройствах управления излучением ближнего ИК-диапазона.