Band gap and electronic structure of defects in the ternary nitride BP<sub>3</sub>N<sub>6</sub>: experiment and theory - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Band gap and electronic structure of defects in the ternary nitride BP₃N₆: experiment and theory

De Boer T., Fattah M.F.A., Amin M.R., Moewes A., Ambach S.J., Vogel S., Schnick W.

Дата публикации в реестре: 2024-03-01T14:46:44Z

Тип: Article

Права: open access

Источник: Journal of Materials Chemistry C

Связанные документы (рекомендация CORE)