Модель взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом для систем автоматизированного проектирования

Зайцев, В. А.; Подрябинкин, Д. А.; Мельникова, В. В.; Данилюк, А. Л.

Модель взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом для систем автоматизированного проектирования

Зайцев, В. А., Подрябинкин, Д. А., Мельникова, В. В., Данилюк, А. Л.

Дата публикации: 2023

Дата публикации в реестре: 2024-04-15T11:25:32Z

Аннотация:

Представлена модель и установлены закономерности взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом, основанные на самосогласовании электрохимического потенциала и концентрации носителей заряда двумерного канала в полевой транзисторной структуре. Такое самосогласование обеспечивается совмещением статистики Ферми – Дирака с условием электронейтральности транзисторной структуры. Рассмотрено влияние на электрофизические параметры транзисторной структуры с двумерным полупроводниковым каналом ширины запрещенной зоны мате- риала канала, емкости подзатворного диэлектрика, емкости интерфейсных состояний. Разработанная модель взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом может использоваться в системах автоматизированного проектирования элементной базы микро- и наноэлектроники.

Ключевые слова:
публикации ученых, транзисторные структуры, двумерные полупроводники, электрохимический потенциал

Тип: Article