Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si(001) для высокоэффективных тандемных AIIIBV/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке

Путято, Михаил Альбертович; Семягин, Борис Рэмович; Емельянов, Евгений Александрович; Паханов, Николай Андреевич; Преображенский, Валерий Владимирович

Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si(001) для высокоэффективных тандемных AIIIBV/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке

Путято, Михаил Альбертович, Семягин, Борис Рэмович, Емельянов, Евгений Александрович, Паханов, Николай Андреевич, Преображенский, Валерий Владимирович

Дата публикации: 2010

Дата публикации в реестре: 2024-04-15T13:50:09Z

Аннотация:

Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был использован метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования гетероперехода GaAs/Si. Было показано, что рост пленки GaAs может протекать, минуя стадию образования островков, если первый монослой GaAs был сформирован методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре (200–350 °С). Был найден режим выращивания плёнок GaAs на Si с плотностью прорастающих дислокаций менее 106 см–2, что соответствует лучшим мировым достижениям. В этом режиме были выращены структуры GaAs/Si и Al0,2Ga0,8As/Si для преобразователей солнечной энергии, сформированы приборы и измерены их характеристики. Показано, что при выращивании гетероперехода GaAs/Si в приповерхностном слое кремния формируется p–n-переход. Это позволяет создавать высокоэффективные каскадные преобразователи солнечной энергии на основе соединений AIIIBV на активной подложке Si в едином ростовом цикле.

Ключевые слова:
атомно-слоевая эпитаксия, гетеропереходы, солнечная энергия, преобразователи солнечной энергии, молекулярно-лучевая эпитаксия

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 26-33