Температурные зависимости произведения дифференциального сопротивления на площадь в МДП-структурах на основе CdxHg1–xTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках из Si и GaAs

Войцеховский, Александр Васильевич; Несмелов, Сергей Николаевич; Дзядух, Станислав Михайлович; Варавин, Василий Семенович; Васильев, Владимир Васильевич физик; Дворецкий, Сергей Алексеевич; Михайлов, Николай Николаевич физик; Якушев, Максим Михайлович; Сидоров, Георгий Юрьевич

Температурные зависимости произведения дифференциального сопротивления на площадь в МДП-структурах на основе CdxHg1–xTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках из Si и GaAs

Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Варавин, Василий Семенович, Васильев, Владимир Васильевич физик, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Якушев, Максим Михайлович, Сидоров, Георгий Юрьевич

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2024-07-01T17:14:18Z

Аннотация:

В диапазоне температур 9–200 К экспериментально исследованы температурные зависимости дифференциального сопротивления области пространственного заряда в режиме сильной инверсии для МДП-структур на основе CdₓHg₁₋ₓTe (x = 0.22–0.40), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучено влияние на величину произведения дифференциального сопротивления на площадь различных параметров структур: состава рабочего слоя, типа подложки, типа диэлектрического покрытия, наличия приповерхностного варизонного слоя. Показано, что значения произведения RОПЗA для МДП-структур на основе n-CdHgTe, выращенного на подложке из Si(013), меньше, чем для структур на основе материала, выращенного на подложке из GaAs(013). Значения RОПЗA для МДП-структур на основе p-CdHgTe, выращенного на подложке из Si(013), сравнимы со значением аналогичного параметра для МДП-структур на основе p-CdHgTe, выращенного на подложке из GaAs(013).

Ключевые слова:
МДП-структуры, молекулярно-лучевая эпитаксия, кадмий-ртуть-теллур, экспериментальные исследования

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 2. С. 141-150