Теоретически проанализировано возникновение тока сдвигового линейного фотогальванического эффекта при двухфотонном поглощении света в полупроводниках без центра симметрии со сложной зонной структурой. При этом учтены вклады в фототок как одновременного поглощения двух фотонов, так и последовательного поглощения двух одинарных фотонов.