Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения

Войцеховский, Александр Васильевич; Дзядух, Станислав Михайлович; Горн, Дмитрий Игоревич; Дворецкий, Сергей Алексеевич; Михайлов, Николай Николаевич (физик); Сидоров, Георгий Юрьевич; Якушев, Максим Витальевич

Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения

Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Горн, Дмитрий Игоревич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич (физик), Сидоров, Георгий Юрьевич, Якушев, Максим Витальевич

Дата публикации: 2023

Дата публикации в реестре: 2024-07-01T17:18:26Z

Аннотация:

Представлены результаты исследований темновых токов nB(SL)n-структур со сверхрешёткой (СР) в барьерной области на основе Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в широком диапазоне условий проведения эксперимента. Темновые токи измерялись в диапазоне температур от 11 К до 300 К для мезаструктур с различными диаметрами поперечного сечения. Определены температурные зависимости объемной компоненты плотности темнового тока и плотности тока поверхностной утечки. Показано, что в исследованных структурах вольтамперные характеристики (ВАХ) формируются как объемной, так и поверхностной составляющими тока в зависимости от температуры и напряжения смещения.

Ключевые слова:
HgCdTe, nBn-структура, сверхрешетки, электрические характеристики, темновые токи, теллурид кадмия ртути

Тип: статьи в журналах

Источник: Прикладная физика. 2023. № 4. С. 78-86