Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела

Брудный, Валентин Натанович

Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2024-07-01T17:21:08Z

Аннотация:

Анализ экспериментальных данных выявил зависимость высоты барьера металл/n-GaN GaN(0001) от работы выхода металла, как и предсказывает модель, которая учитывает уровень зарядовой нейтральности полупроводника. В случае барьеров металл/p-GaN(Mg) имеет место значительный разброс соответствующих экспериментальных данных и закрепление приповерхностного уровня Ферми вблизи Ev + 2.5 эВ в большинстве структур, что обусловлено влиянием высокой плотности интерфейсных дефектных состояний, сформированных в процессе легирования GaN примесью Mg.

Ключевые слова:
нитрид галлия, зарядовая нейтральность, границы раздела

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 11. С. 121-126