Мемристорный эффект в слоистых пленочных структурах

Фам, В. Т.; Подрябинкин, Д. А.; Чубенко, Е. Б.; Борисенко, В. Е.

Предложены эквивалентные электрические схемы многослойных пленочных структур с мемристорным переключением сопротивления на межслойных границах и на границах кристаллических зерен в каждом слое. Численное моделирование вольт-амперных характеристик таких структур показало, что их типичный для мемристоров петлеобразный вид трансформируется в линейную омическую зависимость общего тока от величины приложенного внешнего напряжения по мере увеличения как количества слоев, так и количества зерен в каждом слое. Установлено определенное сочетание количества слоев и зерен в слое, при котором максимальный протекающий через структуру общий ток и отношение сопротивлений в «выключенном» и «включенном» состояниях достигают наибольших значений.

Мемристорный эффект в слоистых пленочных структурах

Связанные документы (рекомендация CORE)

Новости проекта

Новости

Партнеры

Индексация