По вашему запросу найдено документов: 40208
Страница 1 из 4021
Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.физика поверхности полупроводников
Генерация терагерцового излучения от поверхностей узко-и широкозонных полупроводников, модифицированных путем радиационного облученияГенерация терагерцового излучения от поверхностей узко-и широкозонных полупроводников
Адсорбция галогенов на поверхности (001) соединений АIIIВV и интерфейсные свойства границ раздела АIIIВV / сплав Гейслера : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07.Адсорбция галогенов на поверхности (001) соединений АIIIВV и интерфейсные свойства границ раздела
Электрические и газочувствительные характеристики сенсоров водорода на основе тонких пленок диоксида олова : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.физика полупроводников
Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIII BV и контактов металл/AIII BV методом атомно-силовой микроскопии : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIII BV и контактов металл/AIII BV
Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10физика полупроводников.
Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок Аιιι Вν и контактов металл/Аιιι Вν методом атомно-силовой микроскопии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 - физика полупроводников-математических наук: специальность 01.04.10 - физика полупроводников
Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V"(3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) : материалы конференциифизика поверхности
Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИОсновные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ
Атомные и электронные процессы на поверхности полупроводников и границах раздела металл-полупроводник : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 01.04.07Атомные и электронные процессы на поверхности полупроводников и границах раздела металл
Страница 1 из 4021
Фасеты
Новости проекта
Новости
-
2021-09-22, 21:09Cambridge University Press и Университет Вайоминга заключили соглашение об открытом доступе
-
2021-09-20, 21:07Журнал ION NAVIGATION переходит на открытый доступ с 1 января
-
2021-09-17, 11:39Журналы AAS полностью перейдут на модель открытого доступа
-
2021-09-15, 00:38Для перехода на зеленую энергию необходимо больше научной коммуникации
-
2021-09-12, 10:08Австралия отказалась от идеи запретить препринты
Партнеры
Индексация
