Admittance of MIS-structures based on HgCdTe with a double-layer CdTe/Al2O3 insulator - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Admittance of MIS-structures based on HgCdTe with a double-layer CdTe/Al2O3 insulator

Voytsekhovskiy, Alexander V., Nesmelov, Sergey N., Sidorov, Georgiy Yu., Varavin, Vasilii S., Vasilev, Vladimir V., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Yakushev, Maxim V., Dzyadukh, Stanislav M.

Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T18:34:43Z

Аннотация:

Ключевые слова:
адмиттанс, оксид алюминия, МДП-структуры, молекулярно-лучевая эпитаксия

Тип: статьи в журналах

Источник: Russian physics journal. 2018. Vol. 60, № 11. P. 1853-1863

Связанные документы (рекомендация CORE)