On the effect of ballistic overflow on the temperature dependence of the quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

On the effect of ballistic overflow on the temperature dependence of the quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes

Kopyev, V. V., Romanov, I. S., Oleynik, V. L., Prudaev, Ilya A.

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:01:37Z

Аннотация:

Ключевые слова:
квантовая эффективность, светоизлучающие диоды, люминесценция

Тип: статьи в журналах

Источник: Semiconductors. 2017. Vol. 51, № 2. P. 232-238

Связанные документы (рекомендация CORE)