Admittance of MIS structures based on graded-gap MBE HgCdTe with Al2O3 insulator - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Admittance of MIS structures based on graded-gap MBE HgCdTe with Al2O3 insulator

Voytsekhovskiy, Alexander V., Dzyadukh, Stanislav M., Vasilev, Vladimir V., Varavin, Vasilii S., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Yakushev, Maxim V., Sidorov, Georgiy Y., Nesmelov, Sergey N.

Дата публикации: 2016

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:04:17Z

Аннотация:

Ключевые слова:
адмиттанс, оксид алюминия, МДП-структуры

Тип: статьи в журналах

Источник: Physica status solidi C. 2016. Vol. 13, № 7/9. P. 647-650

Связанные документы (рекомендация CORE)