Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

расширенный поиск

Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method

Voytsekhovskiy, Alexander V., Kokhanenko, Andrey P., Lozovoy, Kirill A., Kalin, Eugeniy A., Satdarov, Vadim G.

Дата публикации: 2012

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:54:08Z

Ключевые слова:
квантовые точки, молекулярно-лучевая эпитаксия, дифракция электронов, микроскопия атомно-силовая

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 271-272

Связанные документы (рекомендация CORE)