Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures

Nesmelov, Sergey N., Dzyadukh, Stanislav M., Dvoretsky, Sergei A., Mikhailov, Nikolay N., Sidorov, Georgiy Yu., Yakushev, Maxim V., Voytsekhovskiy, Alexander V.

Дата публикации: 2020

Дата публикации в реестре: 2021-03-31T16:44:39Z

Аннотация:

Ключевые слова:
молекулярно-лучевая эпитаксия, барьерный слой, МДП-структуры, адмиттанс, nBn-структура, CdHgTe

Тип: статьи в журналах

Источник: Semiconductor science and technology. 2020. Vol. 35, № 5. P. 055026 (1-7)

Связанные документы (рекомендация CORE)