Радиационная стойкость биполярных интегральных  микросхем

Стельмахов, Р. В.

Радиационная стойкость биполярных интегральных микросхем

Дата публикации: 2019

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T17:46:18Z

Аннотация:

Целью работы является исследование основных параметров транзисторов (коэффициента усиления по току, токов утечки и падения напряжения на переходах коллектор-база и эмиттер-база), являющихся элементной базой биполярных интегральных микросхем, в условиях воздействия радиации.

Ключевые слова:
материалы конференций, биполярные интегральные микросхемы, транзисторы

Тип: Статья