Increasing efficiency of GaN HEMT transistors in equipment for radiometry using numerical simulation - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Increasing efficiency of GaN HEMT transistors in equipment for radiometry using numerical simulation

Tikhomirov V.G., Gudkov A.G., Agasieva S.V., Dynaiev D.D., Popov M.K., Chizhikov S.V.

Дата публикации в реестре: 2021-08-05T20:23:19Z

Аннотация:

Ключевые слова:
Aluminum gallium nitride, Drain current, High electron mobility transistors, III-V semiconductors, Nanostructures, Optoelectronic devices, Photonics, AlGaN/GaN HEMTs, AlGaN/GaN heterostructures, Buffer region, Construction optimization, Gan hemt transistors, Impact model, Gallium nitride

Тип: Article

Права: open access

Источник: Journal of Physics: Conference Series

Связанные документы (рекомендация CORE)