В работе выполняется сравнение результатов расчёта фотошаблона, применяемого для получения затворов транзисторов по технологии 90 нм. Расчет выполнен нейронными сетями с архитектурой U-Net и CycleGAN. В качестве набора данных для обучения использовались структуры, которые были сгенерированы с помощью моделей обратной литографии, применяемых в промышленном производстве. Архитектура CycleGAN продемонстрировала способность генерировать топологию, стилистически совпадающую с результатами применения ILT с опцией MRC.