Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Прудаев, Илья Анатольевич; Романов, Иван Сергеевич; Копьев, Виктор Васильевич; Брудный, Валентин Натанович; Мармалюк, Александр Анатольевич; Курешов, Владимир Александрович; Сабитов, Дамир Равильевич; Мазалов, Александр Владимирович

Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич, Копьев, Виктор Васильевич, Брудный, Валентин Натанович, Мармалюк, Александр Анатольевич, Курешов, Владимир Александрович, Сабитов, Дамир Равильевич, Мазалов, Александр Владимирович

Дата публикации: 2016

Дата публикации в реестре: 2024-07-01T17:19:56Z

Аннотация:

Представлены результаты экспериментальных исследований внутреннего квантового выхода фотолюминесценции светодиодных гетероструктур синего диапазона длин на основе множественных квантовых ями InₓGa₁₋ₓN/GaN с короткопериодными сверхрешетками InᵧGa₁₋ᵧN/GaN с малым содержанием In при высоких уровнях оптической накачки. Введение сверхрешетки InᵧGa₁₋ᵧN/GaN со стороны n-области светодиодной гетероструктуры InₓGa₁₋ₓN/GaN позволяет повысить значение ее внутреннего квантового выхода предположительно за счет уменьшения квантового эффекта Штарка и снижения темпа оже-рекомбинации.

Ключевые слова:
нитрид галлия/индия, светодиоды, квантовые ямы, короткопериодные сверхрешетки, фотолюминесценция, внутренний квантовый выход

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 7. С. 19-22