Электрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивленияКостров, А. И.,
Стемпицкий, В. Р.,
Родина, Т. Н.,
Данилюк, А. Л.,
Борисенко, В. Е.,
Kostrov, A. I.,
Stempitsky, V. R.,
Rodina, T. N.,
Danilyuk, A. L.,
Borisenko, V. E. Разработана электрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного
магнитосопротивления
(МОЗУ
АНАЛИЗ ПОКАЗАТЕЛЕЙ ИНВЕСТИЦИОННОЙ АКТИВНОСТИ ПРЕДПРИЯТИЙ РАЗЛИЧНЫХ ОТРАСЛЕЙ В РФ отраслей (наличие основных фондов (далее - ОФ), степень износа,
коэффициент обновления ОФ,
коэффициент Наноразмерные полупроводники диэлектрики: достижения центра наноэлектроники и новых материалов БГУИР металлов и
полупроводников, наноструктур с эффектом туннельного
магнитосопротивления,
наноразмерных
Разработка низкотемпературных сенсоров магнитного поля на основе гетероструктур Si/SiO2/Ni наличие положительного
магнитосопротивления, растущего с понижением температуры и достигающего при Т~25 К
Квантовые поправки к проводимости в аморфном полупроводникеВ работе представлены результаты исследования
магнитосопротивления тонкой пленки арсенида кадмия
Эффект Холла в наноразмерной пленке моносилицида железа
сопротивления,
магнитосопротивления и коэффициента Холла наноразмерной пленке моносилицила
железа толщиной 3